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碲镉汞环孔p-n结反常特性分析

The Analysis of HgCdTe Loophole p-n Junction's Abnormal Characteristics

    摘要
  • 摘要: 在HgCdTe 环孔p-n结器件的研制过程中,经常会出现一些反常现象,如负的开路电压和负的光电压等.现对上述现象进行理论分析,并通过大量实验对上述反常现象进行了验证.

     

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